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      欢迎光临~东莞市环昕微实业有限公司-专业可控硅制造厂
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      部门新闻

      可控硅晶闸管RC吸收电流如何计算?

      电容的选择:

      C=(2.5-5倍)×10的负8次方×IF
      1F=1000Uf 1Uf=1000nF 1Nf=1000pf
      If=0.367Id
      Id-直流电流值

      如果整流侧采用500A的晶闸管(可控硅)可以计算
      C=(2.5-5)×10的负8次方×500=1.25-2.5F 选用2.5F,1kv 的电容器

      电阻的选择:

      R=((2-4) ×535)/If=2.14-8.56 选择10欧
      PR=(1.5×(pfv×2πfc)的平方×10的负12次方×R)/2Pfv=2u(1.5-2.0)
      u=三相电压的有效值

      RC的时间常数一般情况下取1~10毫秒。

      小功率负载通常取2毫秒左右,R=220欧姆1W,C=0.01微法400~630V。

      大功率负载通常取10毫秒,R=10欧姆10W,C=1微法630~1000V。

      R的选?。盒」β恃〗鹗裟せ騌X21线绕或水泥电阻;大功率选RX21线绕或水泥电阻。

      C的选?。篊BB系列相应耐压的无极性电容器。

      看?;ざ韵罄辞郑航哟テ飨呷Φ淖枘嵛蘸托∮?0A电流的可控硅的阻尼吸收列入小功率范畴;接触器触点和大于10A以上的可控硅的阻尼吸收列入大功率范畴。

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